Samsung Galaxy S6 sẽ có bộ nhớ siêu nhanh

Google News

(Kiến Thức) - Công nghệ UFS Flash của Samsung cho phép bộ nhớ điện thoại có thể đọc và ghi dữ liệu với tốc độ vượt trội so với các công nghệ hiện hành.

Trang ETNews của Hàn Quốc vừa tiết lộ một thông tin đáng chú ý cho các fan của Samsung. Theo đó, hãng điện tử Hàn Quốc đã phát triển thành công nền tảng UFS 2.0 dành cho chip nhớ NAND Flash, và sẽ sớm sản xuất đại trà để trang bị cho Galaxy S6 và những smartphone cao cấp vào năm 2015.
 Công nghệ chip nhớ UFS cho phép tốc độ ghi chép siêu nhanh,
nhưng lại tiết kiệm điện hơn.

Tốc độ truyền tải dữ liệu trong bộ nhớ sử dụng công nghệ UFS có thể lên đến 1.2GB/s, hay nhanh gấp 3 lần so với bộ nhớ eMMC (400MB/s) hiện tại. Thêm vào đó, công nghệ mới còn có khả năng tiêu thụ điện năng chỉ bằng một nửa và không làm nóng pin giống như eMMC 5.0.
Tiêu chuẩn cho các chip nhớ được xây dựng dựa trên hội đồng kỹ thuật do nhiều hãng tham gia. Do đó, trong tương lai Samsung không thể độc quyền công nghệ của mình. Một số hãng khác như Xiaomi cũng đang làm việc với nền tảng UFS 2.0 NAND. Hiện tại, Xiaomi đang là hãng điện thoại lớn thứ 3 của thế giới (đứng sau Samsung và Apple).
 Ý tưởng cho Samsung Galaxy S6 do một fan hâm mộ xây dựng.

“UFS là công nghệ quan trọng đối với hoạt động kinh doanh điện thoại thông minh trong năm 2015. Chúng tôi sẽ ứng dụng nó cho các sản phẩm smartphone chủ lực”, nguồn tin nội bộ Samsung cho biết. “Tuy nhiên, hiện tại chúng tôi không thể tiết lộ bất cứ thông tin chi tiết nào, vì chiếc smartphone thế hệ tiếp theovẫn đang trong quá trình nghiên cứu và phát triển”.
Quốc Thiện

Bình luận(0)