Với công nghệ sản xuất chip mới 10nm trên A11, Apple đã giúp tốc độ của iPhone 7, iPhone 7 Plus được cải thiện khá nhiều.
Tuy nhiên, còn một thành phần quan trọng khác giúp cho iPhone đạt hiệu suất cao. Trong báo cáo mới nhất, chính linh kiện này đã buộc Apple phải trì hoãn sản phẩm kỷ niệm 10 năm ra mắt smartphone đầu tiên. Thành phần quan trọng này không có gì xa lạ, đó chính là bộ nhớ.
Hiện tại, Apple khá quan tâm đến hiệu suất lưu trữ trên bộ nhớ của các thiết bị iOS. Họ muốn tạo ra một trung tâm điều khiển và quản lý hiệu quả bộ nhớ bên trong của iPhone và iPad. Theo báo cáo, bộ nhớ trên phiên bản kỷ niệm 10 năm này sẽ tốt hơn phiên bản iPhone 7 và 7 Plus.
Trước đó, iPhone 8 cũng đã được đồn đoán sẽ chậm trễ khá nhiều do việc sản xuất các linh kiện phức tạp và khó thực hiện. Màn hình, cảm biến vân tay hay máy ảnh đều có yêu cầu cao về công nghệ. Đặc biệt, vấn đề trong việc sản xuất bộ nhớ 3D NAND đã khiến Apple phải liên hệ Samsung để cung cấp thêm.
 |
| iPhone 8 sẽ áp dụng nhiều công nghệ mới nhằm cải thiện hiệu suất. Ảnh: The Verge. |
Công nghệ bộ nhớ 3D NAND giúp tăng thêm nhiều lớp bóng bán dẫn để lưu dữ liệu. Bằng cách thêm vào nhiều lớp bóng bán dẫn, có thể lên tới 120 hoặc 144 lớp, chúng ta có thể có gia tăng mật độ và dung lượng bộ nhớ lên đáng kể.
Bên cạnh đó còn giúp gia tăng khoảng trống giữa các khối bộ nhớ trên mỗi lớp, tránh phải các vấn đề về vật lý và hiệu năng bộ nhớ.
Trên mỗi lớp bóng bán dẫn, các khối bộ nhớ cũng có thể sắp xếp theo dạng đơn cấp hoặc đa cấp như trên flash, qua đó có thể tăng dung lượng lên mức cực khủng nếu muốn.
Trước đó, sự phức tạp của công nghệ cảm biến vân tay bên dưới màn hình được cho là nguyên nhân chính khiến iPhone 8 trễ hẹn. Tuy nhiên, theo các báo cáo mới nhất, nhiều khả năng máy quét vân tay sẽ không xuất hiện trên thiết bị này.
SK Hynix và Toshiba là 2 công ty sản xuất bộ nhớ sử dụng công nghệ 3D NAND cho iPhone 8. Hiện tại họ đang quá tải trong việc sản xuất. Dự kiến, đơn đặt hàng của Apple trong năm 2017 chỉ thực hiện được khoảng 70%.